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介電常數(shù)測(cè)試儀由高頻阻抗分析儀、測(cè)試裝置，標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行 高低頻介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角(D或tanδ) 的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及 IEC60250規(guī)范要求。 GDAT 系列介電常數(shù)測(cè)試儀工作頻率范圍是20Hz～1MHz,它能完成工作頻率內(nèi)對(duì)絕緣材料的相對(duì)介 電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角 (D或tanδ)變化的測(cè)試。 GDAT系列中測(cè)試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用高頻阻抗分析 儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗 值)變化和Cp（電容值）讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。 1 特點(diǎn)： |
◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示，保證了ε和D值精度和重復(fù)性。
◎ 介電常數(shù)測(cè)量范圍可達(dá)1～105
2 主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 ε和D性能：
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率20Hz～1MHz的ε和D變化的測(cè)試。
2.1.2 ε和D測(cè)量范圍：ε：1～105，D：0.1～0.00005，
2.1.3 ε和D測(cè)量精度（10kHz）：ε：±2% ， D：±5%±0.0001。
2.2高頻阻抗分析儀和數(shù)字電橋
型號(hào) | GDAT-S |
工作頻率范圍 | 20Hz～1MHz 數(shù)字合成，精度：±0.02% |
電容測(cè)量范圍 | 0.00001pF～9.99999F 六位數(shù)顯 |
電容測(cè)量基本誤差 | ±0.05% |
損耗因素D值范圍 | 0.00001～9.99999 六位數(shù)顯 |
高頻介質(zhì)樣品（選購(gòu)件）：
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃， 氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu)，以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
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選購(gòu)件：
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)
樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃， 氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚
1～2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu)，以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
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