橡膠介電常數(shù)測(cè)試儀頻Q表能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。A/C高頻Q表是北廣精儀儀器設(shè)備有限公司Z研制的產(chǎn)品，它以DDS數(shù)字直接合成方式產(chǎn)生信號(hào)源，頻率達(dá)60MHz/160MHz，信號(hào)源具有信號(hào)失真小、頻率精確、信號(hào)幅度穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)，更保證了測(cè)量精度的精確性。A主電容調(diào)節(jié)用傳感器感應(yīng)，電容讀數(shù)精確,且頻率值可設(shè)置。C主電容調(diào)節(jié)用步進(jìn)馬達(dá)控制，電容讀數(shù)更加精確,頻率值和電容值均可設(shè)置。A/C電容、電感、Q值、頻率、量程都用數(shù)字顯示，在某一頻率下，只要能找到諧振點(diǎn)，都能直接讀出電感、電容值，大大擴(kuò)展了電感的測(cè)量范圍，而不再是固定的幾個(gè)頻率下才能測(cè)出電感值的大小。A/C*的諧振點(diǎn)頻率自動(dòng)搜索或電容自動(dòng)搜索功能，能幫助你在使用時(shí)快速地找到被測(cè)量器件的諧振點(diǎn)，自動(dòng)讀出Q值和其它參數(shù)。Q值量程可手動(dòng)或自動(dòng)轉(zhuǎn)換。

橡膠介電常數(shù)測(cè)試儀特點(diǎn)： 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz～160MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。

同樣，由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數(shù)顯，壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置：

2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

介電體（又稱電介質(zhì)）Z基本的物理性質(zhì)是它的介電性，對(duì)介電性的研究不但在電介質(zhì)材料的應(yīng)用上具有重要意義，而且也是了解電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和激化機(jī)理的重要分析手段之一，探索高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料，對(duì)電子工業(yè)元器件的小型化有著重要的意義。介電常數(shù)（又稱電容率）是反映材料特性的重要參量，電介質(zhì)極化能力越強(qiáng)，其介電常數(shù)就越大。測(cè)量介電常數(shù)的方法很多，常用的有比較法，替代法，電橋法，諧振法，表法，直流測(cè)量法和微波測(cè)量法等。各種方法各有特點(diǎn)和適用范圍，因而要根據(jù)材料的性能，樣品的形狀和尺寸大小及所需測(cè)量的頻率范圍等選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)量方法。

介質(zhì)材料的介電常數(shù)一般采用相對(duì)介電常數(shù)來表示，通常采用測(cè)量樣品的電容量，經(jīng)過計(jì)算求出，它們滿足如下關(guān)系：

式中為∑介電常數(shù)，∑o為真空介電常數(shù)，， S為樣品的有效面積，d為樣品的厚度，C為被測(cè)樣品的電容量，通常取頻率為1Khz時(shí)的電容量C。

替代法

替代法電路圖如下所示，將待測(cè)電容Cx（圖中Rx是待測(cè)電容的介電損耗電阻），限流電阻Ro(取1KΩ)、安培計(jì)與信號(hào)源組成一簡(jiǎn)單串聯(lián)電路。合上開關(guān)K1，調(diào)節(jié)信號(hào)源的頻率和電壓及限流電阻Ro，使安培計(jì)的讀數(shù)在毫安范圍恒定（并保持儀器Z高的有效位數(shù)），記錄讀數(shù)Ix。將開關(guān)K2打到B點(diǎn)，讓標(biāo)準(zhǔn)電容箱Cs和交流電阻箱Rs替代Cx,調(diào)節(jié)Cs和Rs值，使Is接近Ix。多次變換開關(guān)K2的位置(A.B 位)，反復(fù)調(diào)節(jié)Cx和Rx，使Is=Ix。假定Cx上的介電損耗電阻Rx與標(biāo)準(zhǔn)電容箱的介電損耗電阻Rs相接近（Rx=Rs），則有Cx=Cs。

使用方法

高頻Q表是多用途的阻抗測(cè)量?jī)x器，為了提高測(cè)量精度，除了使Q表測(cè)試回路本身殘余參量盡可能地小，使耦合回路的頻響盡可能地好之外，還要掌握正確的測(cè)試方法和殘余參數(shù)修正方法。

1．測(cè)試注意事項(xiàng)

a．本儀器應(yīng)水平安放；

b．如果你需要較精確地測(cè)量，請(qǐng)接通電源后，預(yù)熱30分鐘；

c．調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時(shí)，當(dāng)接近諧振點(diǎn)時(shí)請(qǐng)緩調(diào)；

d．被測(cè)件和測(cè)試電路接線柱間的接線應(yīng)盡量短，足夠粗，并應(yīng)接觸良好、可靠，以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來的測(cè)量誤差；

e．被測(cè)件不要直接擱在面板頂部，離頂部一公分以上，必要時(shí)可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊；

f．手不得靠近試件，以免人體感應(yīng)影響造成測(cè)量誤差，有屏蔽的試件，屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線柱。

2．高頻線圈的Q值測(cè)量（基本測(cè)量法）

1、液體介電常數(shù)測(cè)定儀

2、低頻介電常數(shù)測(cè)試儀

3、高頻介電常數(shù)測(cè)試儀

4、塑料介電常數(shù)測(cè)試儀

5、聚乙烯介電常數(shù)測(cè)定儀

6、硅橡膠介電常數(shù)測(cè)定儀

7、橡膠介電常數(shù)測(cè)定儀

8、材料介電常數(shù)測(cè)定儀

9、薄膜介電常數(shù)測(cè)定儀

10、聚酯薄膜介電常數(shù)測(cè)試儀

11、聚合物介電常數(shù)測(cè)量?jī)x

12、介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀